RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
55
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
55
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2117
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KHX16 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link