RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
2492
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link