RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2462
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link