RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2462
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link