RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
71
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1863
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link