RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2587
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link