RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2780
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link