RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
37
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
37
读取速度,GB/s
12.8
14.6
写入速度,GB/s
9.0
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2780
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link