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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
36
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
33
读取速度,GB/s
14.9
16.5
写入速度,GB/s
9.5
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3298
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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