RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2852
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link