RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2852
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link