RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2657
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link