RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3244
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link