RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2330
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link