RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2330
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link