RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2889
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link