RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3447
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link