RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2556
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link