Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 45

Около 38% меньшая задержка

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.7 13.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.1 8.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 45
Скорость чтения, Гб/сек

13.3 14.7
Скорость записи, Гб/сек

8.5 11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2213 2556

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB

Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Kingston 9905630-031.A00G 16GB

Kingston 9905630-031.A00G 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB

модули RAM