RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3318
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link