RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.5
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
3318
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link