RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3185
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link