RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3649
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link