RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
21.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
4042
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link