RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.5
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
21.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
17.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
4042
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Mushkin 994083 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link