RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3490
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link