RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
28
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
20
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3327
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link