RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2984
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link