RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
2984
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link