RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2483
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link