RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2483
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link