RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
38
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2483
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link