RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3315
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link