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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
13.3
15.3
写入速度,GB/s
8.5
12.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
3315
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
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