RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2855
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Elpida 99U5458-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link