RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
28
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3668
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link