RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
28
Por volta de -56% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
18
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
17.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
3668
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link