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SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Razões a considerar
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
39
Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
35
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
11.8
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2419
2767
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
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