RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2419
2767
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link