RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3245
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link