RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs INTENSO 5641152 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
INTENSO 5641152 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO 5641152 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2215
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO 5641152 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link