RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Porównaj
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB vs Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
64
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
1,915.8
1,810.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
62
64
Prędkość odczytu, GB/s
4,311.6
4,472.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,810.1
1,915.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
6400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
804
726
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5267AZ3-CF7 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link