RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
1881
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link