RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
1881
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link