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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
1881
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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