RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2447
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link