RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2841
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link