RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
2461
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link