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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Comparar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
37
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
9.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2213
2461
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
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