RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3491
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link