RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
49
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
3336
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link