RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Porównaj
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
49
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2427
3283
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link